GaN Systems和徐州金沙江半導體共同展示GaN在提高數據中心效率和盈利能力方面的巨大優勢

氮化鎵功率半導體的全球領導者GaN Systems公司和徐州金沙江半導體公司今天聯合宣布，在互聯網數據中心(IDC)領域，首次成功開展氮化鎵(GaN)電源應用的現場試驗，這是GaN在IDC電力基礎設施領域普及進程的重要里程碑。 GaN Systems公司擁有的高功率和高可靠性技術，和傳統硅功率器件相比，使數據中心能夠實現高達20%的節能，從而提高利潤、降低相對能耗并減少碳足跡。該現場試驗將驗證節能的積極環境影響，同時滿足數據中心運營商對于可靠性的嚴苛要求，因此是該技術應用于全球的關鍵一步。GaN Systems在高功率、可靠性和質量方面的持續投資成就了這一重要里程碑。

3000W GaN電源與550W硅基功率半導體電源

關于GaN在數據中心供電系統中的應用前景，業內人士給予高度關注和期望。中國通信學會的專家表示，作為新基建設施的重要內容，數據中心在未來信息化建設和數字經濟轉型過程中發揮著基礎性作用。據統計測算，2020年我國數據中心耗電量已逾2000億千瓦時，約占全社會用電量2％，電能利用率（PUE）高達1.49；二氧化碳排放量約1.35億噸，碳排放強度（CUE）為0.82，約占全國二氧化碳排放量的1.14%。剛剛發布的《十四五數字經濟發展規劃》要求按照綠色、低碳、集約、高效的原則，持續推進綠色數字中心建設，加快推進數據中心節能改造，持續提升數據中心可再生能源的利用水平。可以看到，數據中心的節能降碳將是實現“雙碳”目標的重要影響因素。引進新技術、實現數據中心的節能降碳，不僅有利于數據中心的綠色高質量發展，而且有利于全社會“雙碳”目標的完成。

此次公開測試，率先于三月在西北大學物理學科高性能計算中心展開，隨后將在全國范圍選擇更多的數據中心和超算中心進行合作和推進。

參與本次測試的電源，在北京設計，運用了GaN Systems公司和徐州金沙江半導體公司的技術和芯片。本次測試得到了宏光半導體和深圳前沿科技研發公司的大力支持。經理論推算，50%負載下新電源模塊的能源效率大約為98%，比傳統硅基功率半導體電源的能源效率提高4個百分點。獨此一項，可以降低數據中心的總能耗10個百分點。如果配合推進數據中心UPS電源及制冷系統的電源替代，節能效果有望達到20%。

據最近發布的算力網絡規劃披露，中國布局了八大算力網絡國家樞紐節點和十大數據中心集群。通過使用氮化鎵功率晶體管，可以實現更高效的PSU電源模塊，可為數據中心的綠色高質量發展提供技術基礎，進而有利于全社會碳中和目標的實現。